各向同性刻蚀与非各向同性刻蚀
刻蚀剖面
华林科纳资料分享
多晶硅表面制绒技术研究
f) 80w基体功率下刻蚀70分钟后晶体各向异性消失,刻蚀窗口边缘与晶体
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