氮化镓器件结构,

特别是第三代半导体氮化镓(gan)在发光二极管led和激光器等发光器件
南科大马俊在新型多沟道氮化镓电力电子器件领域取得进展
需要建设开发氮化镓和碳化硅集成器件原型的环境,所以aist扩建了一条
稍早前宣布,已经成功地在相同的氮化镓(gan)上整合led和功率电晶体
一种含有混合漏电极的氮化镓hemt器件的制作方法