离子注入掺杂,

离子注入之后也是需要二次退火的,退火的目的一是去除缺陷,二是让掺杂
硅集成电路工艺—离子注入(ion_implantationppt
【图文】半导体工艺基础第七章 掺杂技术-离子注入_第1页
离子注入技术是20世纪60年代发展起来的掺杂方 法.
离子注入工艺培训课件.ppt